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NBB4-12GM60-E3-Y NCB8-18GM40-NO NCB8-18GM40-NO-V1 NCB8-18GM50-Z4 NCB8-18GM50-Z4-V1 NCB8-18GM50-Z5-V1

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德国倍加福接近开关由三大部分组成:振荡器、开关电路及放大输出电路。振荡器产生一个交变磁场。当金属目标接近这一磁场,并达到感应距离时,在金属目标内产生涡流,从而导致振荡衰减,以至停振。振荡器振荡及停振的变化被后级放大电路处理并转换成开关信号,触发驱动控制器件,从而达到非接触式之检测目的
当一块通有电流的金属或半导体薄片垂直地放在磁场中时,薄片的两端就会产生电位差,这种现象就称为霍尔效应。两端具有的电位差值称为霍尔电势U,其表达式为
其中K为霍尔系数,I为薄片中通过的电流,B为外加磁场(洛伦慈力Lorrentz)的磁感应强度,d是薄片的厚度。
由此可见,霍尔效应的灵敏度高低与外加磁场的磁感应强度成正比的关系。
霍尔开关就属于这种有源磁电转换器件,它是在霍尔效应原理的基础上,利用集成封装和组装工艺制作而成,它可方便的把磁输入信号转换成实际应用中的电信号,同时又具备工业场合实际应用易操作和可靠性的要求。
NCB2-12GM40-Z0-V1
NCB2-12GM40-Z1
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NCB4-12GM35-Z4
NCB4-12GM40-Z4-V1
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NCB5-18GM40-Z0
NCB5-18GM40-Z0-V1
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