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德国BALLUFF磁敏传感器，BTL5-S173B-M0400-P-S32[产品打印页面]
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产品名称:
德国BALLUFF磁敏传感器，BTL5-S173B-M0400-P-S32
产品型号:
BTL5-S173B-M0400-P-S32
产品展商:
巴鲁夫BALLUFF
关注指数:527
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简单介绍
德国BALLUFF磁敏传感器，BTL5-S173B-M0400-P-S32
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德国BALLUFF磁敏传感器，BTL5-S173B-M0400-P-S32
的详细介绍
德国BALLUFF磁敏传感器，BTL5-S173B-M0400-P-S32
德国BALLUFF磁敏传感器对磁场的作用机理不同，传感器内载流子运动方向与被检磁场在一平面内。（顺便提醒一点，霍尔效应于磁阻效应是并存的。在制造霍尔器件时 应努力减少磁阻效应的影响，而制造磁阻器件时努力避免霍尔效应（在计算公式中，互为非线性项）。在磁阻器件应用中，温度漂移的控制也是主要矛盾，在器件制 备方面，磁阻器件由于与霍尔不同，因此，早期的产品为单只磁敏电阻。由于温度漂移大，现在多制成单臂（两只磁敏电阻串联）主要是为补偿温度漂移。目前也有 全桥产品，但用法（目的）与霍尔器件略有差异。
通电的载体在受到垂直于载体平面的外磁场作用时，则载流子受到洛伦兹力的作用， 并有向两边聚集的倾向,由于自由电子的聚集(一边多一边必然少)从而形成电势差， 在经过特殊工艺制备的半导体材料这种效应更为显著。从而形成了霍尔元件。早期的霍尔效应的材料Insb(锑化铟)。为增强对磁场的敏感度,在材料方面半导 体IIIV 元素族都有所应用。近年来，除Insb之外，有硅衬底的，也有砷化镓的。霍尔器件由于其工作机理的原因都制成全桥路器件，其内阻大约都在 150Ω~500Ω之间。对线性传感器工作电流大约在2~10mA左右，一般采用恒流供电法。
1. 集成电路技术的应用. 将硅集成电路技术应用于磁敏传感器, 制成集成磁敏传感器.
2.InSb 薄膜技术的开发成功,使得霍尔器件产能剧增,成本大幅度下降.
3.强磁体合金薄膜得到广泛应用.各种磁阻器件出现,应用领域广泛.
4.巨磁电阻多层薄膜的研究与开发.新器件的高灵敏度,高稳定性,引起研制高密度 记录磁盘读出头的科技人员的极大关注.
5.非晶合金材料的应用.与基础器件配套应用,大大改善了磁传感器性能.
6.Ⅲ—V 族半导体异质结构材料的开发和应用.通过外延技术,形成异质结构,提高 磁敏器件的性能
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